ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > BSM120D12P2C005
Datasheet下载- 型号： BSM120D12P2C005
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSM120D12P2C005由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSM120D12P2C005价格参考￥2508.66-￥3924.18。ROHM SemiconductorBSM120D12P2C005封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 1200V（1.2kV） 120A（Tc） 780W 模块。您可以下载BSM120D12P2C005参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSM120D12P2C005 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | POWER MODULE 1200V 120A分立半导体模块 Mod: 1200V 120A (w/ Diode) |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 碳化硅 （SiC） |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,ROHM Semiconductor BSM120D12P2C005- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSM120D12P2C005 |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 22mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 功率-最大值 | 780W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 封装/箱体 | Module |
| 工作温度 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 12 |
| 标准包装 | 12 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fullsic-halfbridge-power-modules/52456 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A |
| 类型 | H-Bridge MOSFET Modules |
| 配置 | Half-Bridge |
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