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Datasheet下载- 型号： BSH111,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BSH111,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSH111,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSH111,215价格参考。NXP SemiconductorsBSH111,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 335mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB。您可以下载BSH111,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSH111,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 335 mA |
| Id-连续漏极电流 | 335 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSH111,215TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSH111,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.83 W |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| Qg-GateCharge | 0.05 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.05 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 500mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-1657-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 380 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 335mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BSH111 T/R |
