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  • 型号: BSC886N03LS G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSC886N03LS G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC886N03LS G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC886N03LS G价格参考以及InfineonBSC886N03LS G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC886N03LS G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSC886N03LS G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

https://www.infineon.com/dgdl/BSC886N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d23d150cd1890

产品图片

产品型号

BSC886N03LS G

PCN其它

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2100pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 30A,10V

供应商器件封装

PG-TDSON-8

其它名称

BSC886N03LS G-ND
BSC886N03LSG
BSC886N03LSGATMA1
SP000475950

功率-最大值

39W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerTDFN

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Ta), 65A (Tc)

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