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型号： BSC039N06NSATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC039N06NSATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC039N06NSATMA1价格参考。InfineonBSC039N06NSATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8。您可以下载BSC039N06NSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC039N06NSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的BSC039N06NSATMA1是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - BSC039N06NSATMA1因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流，适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器以及充电器等设备。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动应用中，该MOSFET可以用作功率级开关，控制电机的启动、停止和速度调节。例如，它适用于家用电器（如风扇、泵）或电动工具中的无刷直流电机（BLDC）驱动。

 3. 电池管理
   - 该器件可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关。它能够有效防止过流、短路或反向电流等问题，确保电池系统的安全运行。

 4. 负载开关
   - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑）中，BSC039N06NSATMA1可用作负载开关，实现对不同负载的动态供电管理，降低功耗并提高效率。

 5. 逆变器
   - 在小型光伏逆变器或不间断电源（UPS）系统中，这款MOSFET可以用于逆变电路，将直流电转换为交流电，支持可再生能源的应用。

 6. LED驱动
   - 在高亮度LED照明系统中，该MOSFET可以用作PWM调光开关，精确控制LED的亮度和电流，同时保持较高的能效。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，BSC039N06NSATMA1适用于车身控制模块（BCM）、电动车窗、雨刷电机驱动等场景，满足汽车级应用对可靠性和效率的要求。

 总结
BSC039N06NSATMA1凭借其低导通电阻（典型值为39mΩ）、高开关速度和出色的热性能，在需要高效功率切换的应用中表现出色。它的额定电压为60V，最大持续电流可达21A，适合中低压环境下的各种电力电子设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC039N06NSATMA1
产品型号	BSC039N06NSATMA1
Pd-PowerDissipation	69 W
Pd-功率耗散	69 W
Qg-GateCharge	27 nC
Qg-栅极电荷	27 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.9 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	12 ns
下降时间	7 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	20 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	TDSON-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	85 S
系列	BSC039N06
配置	Single Quad Drain
零件号别名	SP000985386