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BSC036NE7NS3GATMA1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC036NE7NS3GATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC036NE7NS3GATMA1价格参考。InfineonBSC036NE7NS3GATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8。您可以下载BSC036NE7NS3GATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC036NE7NS3GATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 |
产品图片 | |
产品型号 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
PCN其它 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 110µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 37.5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 毫欧 @ 50A,10V |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
其它名称 | BSC036NE7NS3GATMA1CT |
功率-最大值 | 156W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |