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  • 型号: BSC028N06NSATMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC028N06NSATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC028N06NSATMA1价格参考¥5.93-¥6.32。InfineonBSC028N06NSATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8。您可以下载BSC028N06NSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC028N06NSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC028N06NSATMA1

产品型号

BSC028N06NSATMA1

Pd-PowerDissipation

83 W

Pd-功率耗散

83 W

Qg-GateCharge

37 nC

Qg-栅极电荷

37 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

38 ns

下降时间

8 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

19 ns

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

系列

BSC028N06

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SP000917416

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