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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC028N06NSATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC028N06NSATMA1价格参考¥5.93-¥6.32。InfineonBSC028N06NSATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8。您可以下载BSC028N06NSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC028N06NSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC028N06NSATMA1 |
产品型号 | BSC028N06NSATMA1 |
Pd-PowerDissipation | 83 W |
Pd-功率耗散 | 83 W |
Qg-GateCharge | 37 nC |
Qg-栅极电荷 | 37 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 38 ns |
下降时间 | 8 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | TDSON-8 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
系列 | BSC028N06 |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | SP000917416 |