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  • 型号: BSC028N06LS3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BSC028N06LS3 G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC028N06LS3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC028N06LS3 G价格参考¥8.22-¥15.51以及InfineonBSC028N06LS3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC028N06LS3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSC028N06LS3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

23 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC028N06LS3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c

产品型号

BSC028N06LS3 G

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 93µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13000pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

175nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.8 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC028N06LS3 G-ND
BSC028N06LS3 GTR
BSC028N06LS3G
BSC028N06LS3GATMA1
SP000453652

典型关闭延迟时间

77 ns

功率-最大值

139W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.8 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

23 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Ta), 100A (Tc)

系列

BSC028N06

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSC028N06LS3GATMA1 SP000453652

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