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  • 型号: BSC027N03S G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC027N03S G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC027N03S G价格参考。InfineonBSC027N03S G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSC027N03S G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC027N03S G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC027N03S_Rev1.0_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a2d9b42c6

产品图片

产品型号

BSC027N03S G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 90µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6540pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

51nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.7 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC027N03SGXT
SP000095462

功率-最大值

89W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerTDFN

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Ta), 100A (Tc)

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