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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC027N03S G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC027N03S G价格参考。InfineonBSC027N03S G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSC027N03S G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC027N03S G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC027N03S_Rev1.0_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a2d9b42c6 |
产品图片 | |
产品型号 | BSC027N03S G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 90µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6540pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.7 毫欧 @ 50A,10V |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
其它名称 | BSC027N03SGXT |
功率-最大值 | 89W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Ta), 100A (Tc) |