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Datasheet下载- 型号： BSC018NE2LS
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BSC018NE2LS产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC018NE2LS由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC018NE2LS价格参考以及InfineonBSC018NE2LS封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC018NE2LS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BSC018NE2LS详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8MOSFET N-Channel 25V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC018NE2LSOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca6b7736b2f40 |
| 产品型号 | BSC018NE2LS |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V to 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V to 2 V |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
| 其它名称 | BSC018NE2LS-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 正向跨导-最小值 | 140 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Ta）， 100A （Tc） |
| 系列 | BSC018NE2 |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | BSC018NE2LSATMA1 SP000756336 |
