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BSC014N06NS产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd |
产品图片 | |
产品型号 | BSC014N06NS |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 120µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6500pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 89nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.45 毫欧 @ 50A,10V |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
其它名称 | BSC014N06NSDKR |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta), 100A (Tc) |