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  • 型号: BSC014N06NS
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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BSC014N06NS产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC014N06NS由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC014N06NS价格参考以及InfineonBSC014N06NS封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC014N06NS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSC014N06NS详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd

产品图片

产品型号

BSC014N06NS

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 120µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6500pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

89nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.45 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

PG-TDSON-8

其它名称

BSC014N06NSDKR

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerTDFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Ta), 100A (Tc)

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