【BSC011N03LS/规格参数】厂家_BSC011N03LS中文资料_价格

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型号： BSC011N03LS
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSC011N03LS产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC011N03LS由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供BSC011N03LS价格参考￥9.19-￥32.07以及InfineonBSC011N03LS封装/规格参数等产品信息。你可以下载BSC011N03LS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC011N03LS详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSONMOSFET N-CH 30V 100A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC011N03LSOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0
产品型号	BSC011N03LS
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	72 nC
Qg-栅极电荷	72 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	900 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	900 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.2 V to 2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.2 V to 2 V
上升时间	8.8 ns
下降时间	6.2 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4700pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	72nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.1 毫欧 @ 30A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TDSON-8
其它名称	BSC011N03LSDKR
典型关闭延迟时间	37 ns
功率-最大值	96W
包装	Digi-Reel®
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/箱体	TDSON-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	170 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	37A （Ta）， 100A （Tc）
系列	BSC011N03
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	BSC011N03LSATMA1 SP000799082