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BSC010N04LSATMA1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC010N04LSATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC010N04LSATMA1价格参考。InfineonBSC010N04LSATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL。您可以下载BSC010N04LSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC010N04LSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8MOSFET MV POWER MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC010N04LSATMA1OptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 |
产品型号 | BSC010N04LSATMA1 |
Pd-PowerDissipation | 139 W |
Pd-功率耗散 | 139 W |
Qg-GateCharge | 95 nC |
Qg-栅极电荷 | 95 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6800pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 mOhm @ 50A、 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8 FL (5x6) |
其它名称 | BSC010N04LSATMA1DKR |
典型关闭延迟时间 | 46 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 1 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | TDSON-8 FL |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 140 S |
汲极/源极击穿电压 | 40 V |
漏极连续电流 | 100 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Ta), 100A (Tc) |
系列 | BSC010N04 |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | SP000928282 |