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  • 型号: BSC010N04LSATMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BSC010N04LSATMA1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC010N04LSATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC010N04LSATMA1价格参考。InfineonBSC010N04LSATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL。您可以下载BSC010N04LSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC010N04LSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8MOSFET MV POWER MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC010N04LSATMA1OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4

产品型号

BSC010N04LSATMA1

Pd-PowerDissipation

139 W

Pd-功率耗散

139 W

Qg-GateCharge

95 nC

Qg-栅极电荷

95 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V

上升时间

12 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6800pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 mOhm @ 50A、 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8 FL (5x6)

其它名称

BSC010N04LSATMA1DKR

典型关闭延迟时间

46 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8 FL

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

140 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

38A (Ta), 100A (Tc)

系列

BSC010N04

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SP000928282

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