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型号： BSB012NE2LX
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSB012NE2LX产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSB012NE2LX由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB012NE2LX价格参考。InfineonBSB012NE2LX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™。您可以下载BSB012NE2LX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSB012NE2LX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2MOSFET N-Channel 25V MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	170 A
Id-连续漏极电流	170 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSB012NE2LXOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/BSB012NE2LX_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb6a32613f3d
产品型号	BSB012NE2LX
Pd-PowerDissipation	57 W
Pd-功率耗散	57 W
Qg-GateCharge	12 nC
Qg-栅极电荷	12 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	25 V
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.2 V to 2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.2 V to 2 V
上升时间	6 ns
下降时间	4.6 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4900pF @ 12V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	67nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.2 毫欧 @ 30A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	MG-WDSON-2，CanPAK M™
其它名称	BSB012NE2LXCT
典型关闭延迟时间	34 ns
功率-最大值	2.8W
包装	剪切带（CT）
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	3-WDSON
封装/箱体	WDSON-2
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 40 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	180 S
漏源极电压(Vdss)	25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	37A （Ta）， 170A （Tc）
系列	BSB012NE2
通道模式	Enhancement
配置	Single Dual Drain Dual Source
零件号别名	BSB012NE2LXXUMA1 SP000756344