ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BS250P
Datasheet下载- 型号： BS250P
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BS250P由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS250P价格参考￥2.64-￥6.13。Diodes Inc.BS250P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 45V 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3。您可以下载BS250P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BS250P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BS250P是一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种低功率和中等功率的电路设计中。其应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 BS250P常用于电源管理系统，特别是在低压降线性稳压器（LDO）和开关模式电源（SMPS）中。它能够有效地控制电流的通断，确保电源的稳定输出。由于其较低的导通电阻（Rds(on)），在低功耗应用中表现出色，适用于电池供电设备，如移动电话、平板电脑和其他便携式电子产品。 2. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中，BS250P可以用作负载开关。例如，在USB充电器、音频设备和消费类电子产品中，它可以通过快速响应外部信号来控制电源的通断，从而保护电路免受过流或短路的影响。 3. 电机驱动 BS250P也适用于小型直流电机的驱动电路。它可以作为H桥电路的一部分，用于控制电机的正反转和速度调节。由于其较低的栅极电荷和较快的开关速度，能够在电机启动和停止时提供高效的电流控制，减少能耗。 4. 信号传输与隔离 在某些通信设备和工业控制系统中，BS250P可以用于信号传输和隔离。通过将MOSFET用作开关，可以在不同电压域之间传递信号，同时防止电流回流，确保系统的稳定性。 5. 背光驱动 在液晶显示器（LCD）和其他显示屏的背光驱动电路中，BS250P可以用于控制LED灯条的亮度。通过PWM（脉宽调制）技术，MOSFET能够精确调节LED的亮度，实现节能和延长显示设备的使用寿命。 6. 静电放电（ESD）保护 BS250P还可以用于静电放电保护电路中，尤其是在敏感的电子元件周围。它能够迅速响应并吸收静电能量，防止静电损坏其他关键组件。 总之，BS250P凭借其低导通电阻、快速开关特性和广泛的电压范围，成为众多低功耗和中等功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3MOSFET P-Chnl 45V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 230 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 230 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BS250P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BS250P |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 45 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | BS250PTA |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
| 系列 | BS250P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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