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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BS108G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 欧姆 @ 100mA,2.8V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 250mA (Ta) |