ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BS107ARL1G
Datasheet下载- 型号： BS107ARL1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BS107ARL1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS107ARL1G价格参考。ON SemiconductorBS107ARL1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3。您可以下载BS107ARL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BS107ARL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BS107ARL1G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于低电压、低功耗的应用场景。其典型应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：BS107ARL1G常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。由于其较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗，提高电源转换效率。 2. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中，BS107ARL1G可用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，实现快速响应和低待机功耗。 3. 电池保护：该MOSFET适用于锂电池保护电路，通过检测电池电压和电流，防止过充、过放、短路等情况发生，确保电池安全使用。 4. 电机驱动：小型直流电机或步进电机驱动电路中也会用到BS107ARL1G，它可以作为功率放大级来控制电机的启动、停止及转速调节。 5. 信号切换与隔离：在通信设备、工业控制系统等领域，BS107ARL1G可以用来进行信号路径的选择与隔离，避免干扰并保证信号完整性。 6. 消费电子类产品：例如USB充电器、无线耳机充电仓等产品内部，利用其小尺寸封装特点，在有限空间内提供高效的电力传输解决方案。 总之，BS107ARL1G凭借其优异的电气特性、紧凑的封装形式以及广泛的适用范围，在众多领域得到了广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BS107ARL1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.4 欧姆 @ 250mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | BS107ARL1G-ND |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA （Ta） |
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