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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BMS3004-1E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BMS3004-1E价格参考。ON SemiconductorBMS3004-1E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 75V 68A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3SG。您可以下载BMS3004-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BMS3004-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SGMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 68 A |
Id-连续漏极电流 | 68 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BMS3004-1E- |
数据手册 | |
产品型号 | BMS3004-1E |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 300 nC |
Qg-栅极电荷 | 300 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.6 V |
上升时间 | 245 ns |
下降时间 | 650 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13400pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 毫欧 @ 34A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F-3SG |
典型关闭延迟时间 | 1400 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 68A (Ta) |
系列 | BMS3004 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |