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  • 型号: BMS3004-1E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BMS3004-1E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BMS3004-1E价格参考。ON SemiconductorBMS3004-1E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 75V 68A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3SG。您可以下载BMS3004-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BMS3004-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SGMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,4V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

68 A

Id-连续漏极电流

68 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BMS3004-1E-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BMS3004-1E

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

Qg-GateCharge

300 nC

Qg-栅极电荷

300 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

- 75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 2.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 2.6 V

上升时间

245 ns

下降时间

650 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13400pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

300nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 毫欧 @ 34A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F-3SG

典型关闭延迟时间

1400 ns

功率-最大值

2W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

68A (Ta)

系列

BMS3004

通道模式

Enhancement

配置

Single

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