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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BLS6G3135S-120,112 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | SOT502B |
其它名称 | 934060064112 |
功率-输出 | 120W |
包装 | 托盘 |
噪声系数 | - |
增益 | 11dB |
封装/外壳 | SOT-502B |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 20 |
电压-测试 | 32V |
电压-额定 | 60V |
电流-测试 | 100mA |
频率 | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
额定电流 | 7.2A |