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  • 型号: BLS6G3135S-120,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G3135S-120,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G3135S-120,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G3135S-120,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLS6G3135S-120,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLS6G3135S-120,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BLS6G3135S-120,112

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

934060064112

功率-输出

120W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

11dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

20

电压-测试

32V

电压-额定

60V

电流-测试

100mA

频率

3.1GHz ~ 3.5GHz

额定电流

7.2A

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