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型号： BLL6H0514LS-130,11
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLL6H0514LS-130,11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL6H0514LS-130,11价格参考。NXP SemiconductorsBLL6H0514LS-130,11封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 50V 50mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 130W CDFM2。您可以下载BLL6H0514LS-130,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL6H0514LS-130,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLL6H0514LS-130,11 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，广泛应用于高频功率放大器和射频通信设备中。这款晶体管具有出色的高频性能和高功率处理能力，适用于多种应用场景。

 主要应用场景：

1. 无线通信基站：
   - 在蜂窝基站、WiMAX、LTE 和 5G 基站中，BLL6H0514LS-130,11 可用于射频功率放大器，提供高效的信号放大。其高增益和低噪声特性确保了信号的清晰传输，减少了干扰和失真。
   
2. 雷达系统：
   - 该晶体管可用于军事和民用雷达系统中的发射机部分。由于其宽频带和高线性度，能够支持多普勒雷达、气象雷达等应用，提供稳定的射频输出。

3. 卫星通信：
   - 在卫星地面站和卫星通信终端中，BLL6H0514LS-130,11 可用于上行链路的功率放大，确保信号能够有效传输到卫星。其高效率和可靠性使得它在恶劣环境下也能稳定工作。

4. 航空航天与国防：
   - 在航空电子设备、导航系统和军用通信设备中，该晶体管因其优异的抗电磁干扰能力和高可靠性而备受青睐。它可以承受极端温度和振动环境，确保系统的稳定运行。

5. 工业射频加热：
   - 在工业应用中，如射频加热、等离子体生成等，BLL6H0514LS-130,11 可以提供高效且可控的射频能量输出，满足各种工艺需求。

6. 测试与测量设备：
   - 在实验室环境中，该晶体管可用于射频信号发生器、网络分析仪等测试设备中，提供精确的射频信号源，帮助工程师进行研发和调试。

 总结：
BLL6H0514LS-130,11 射频 MOSFET 晶体管凭借其卓越的高频性能、高功率处理能力和可靠性，广泛应用于无线通信、雷达、卫星通信、航空航天、工业加热以及测试与测量等领域。其出色的线性度和效率使其成为高性能射频应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR LDMOS DRIVER SOT1135B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLL6H0514LS-130,11
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM2
其它名称	568-7558-5 934064571112 BLL6H0514LS-130,11-ND BLL6H0514LS13011
功率-输出	130W
包装	管件
噪声系数	-
增益	17dB
封装/外壳	SOT-1135B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	60
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	50mA
频率	1.2GHz ~ 1.4GHz
额定电流	18A