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Datasheet下载- 型号： BLF888AS,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF888AS,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF888AS,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF888AS,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 1.3A 860MHz 21dB 250W SOT539B。您可以下载BLF888AS,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF888AS,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF888AS,112 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，广泛应用于高频功率放大器和射频信号处理领域。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信基站 BLF888AS,112 常用于无线通信基站中的射频功率放大器，特别是在 GSM、CDMA 和 LTE 等移动通信系统中。它能够提供高功率输出和高效的线性放大，确保信号传输的稳定性和可靠性。该器件的工作频率范围较广，适用于多种频段的通信需求。 2. 广播发射设备 在广播电台的发射设备中，BLF888AS,112 可以作为功率放大器的核心组件，用于提升发射信号的功率。它能够在较高的频率下保持良好的性能，确保广播信号覆盖更广泛的区域，并且具有较低的失真率，保证音频质量。 3. 军事与航空航天 该型号的晶体管也常用于军事和航空航天领域的射频设备中，如雷达系统、卫星通信等。这些应用对可靠性和性能要求极高，BLF888AS,112 凭借其优异的射频特性和耐用性，能够满足严苛的工作环境要求。 4. 工业加热与等离子体控制 在工业加热和等离子体控制系统中，BLF888AS,112 可以用于生成高频电磁场，驱动等离子体或加热材料。它能够提供足够的功率输出，同时具备高效的能量转换能力，减少能耗并提高生产效率。 5. 医疗设备 在某些医疗设备中，如射频消融设备，BLF888AS,112 可用于生成高频射频能量，精确控制消融过程中的温度和能量分布，确保治疗的安全性和有效性。 6. 测试与测量仪器 在射频测试与测量仪器中，BLF888AS,112 可以作为信号源或功率放大器，帮助工程师进行各种射频性能测试。它的稳定性和高精度特性使其成为实验室和研发部门的理想选择。 总之，BLF888AS,112 凭借其出色的射频性能和可靠性，在多个行业中得到了广泛应用，尤其是在需要高效、高功率射频放大的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SOT539A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF888AS,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 934064576112 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 36A |
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