Datasheet下载- 型号： BLF861A,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF861A,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF861A,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF861A,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF861A,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF861A,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF LDMOS SOT540A射频MOSFET晶体管 RF LDMOS 150W UHF |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF861A,112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF861A,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 318 W |
| Pd-功率耗散 | 318 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-2407 |
| 功率-输出 | 150W |
| 功率耗散 | 318 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 160 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-540A |
| 封装/箱体 | SOT-540A |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 输出功率 | 150 W |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 15 V |
| 零件号别名 | BLF861A |
| 频率 | 860 MHz |
| 额定电流 | 18A |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
