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型号： BLF7G20LS-200,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20LS-200,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20LS-200,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20LS-200,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 1.62A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18dB 55W SOT502B。您可以下载BLF7G20LS-200,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G20LS-200,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLF7G20LS-200,118 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，广泛应用于高频功率放大器领域。这款晶体管具有高功率处理能力、高增益和高效率的特点，适用于多种射频通信和工业应用。

 应用场景：

1. 射频功率放大器：
   - 无线通信基站：BLF7G20LS-200,118 可用于设计高效、可靠的射频功率放大器，适用于 4G LTE 和 5G 基站。它能够在高频段（如 L 波段）提供出色的线性度和效率，确保信号传输的质量。
   - 对讲机和移动无线电设备：该晶体管可以用于便携式无线电设备中的功率放大器，提供足够的输出功率以保证远距离通信。

2. 工业加热与等离子体生成：
   - 感应加热：在金属加工和材料处理中，射频功率晶体管可以用于产生高频电磁场，实现高效的感应加热。BLF7G20LS-200,118 的高功率输出使其适合这种应用场景。
   - 等离子体发生器：在半导体制造、表面处理和其他需要等离子体的应用中，该晶体管可以用于驱动等离子体源，提供稳定的射频能量。

3. 雷达系统：
   - 脉冲雷达：在军事和民用雷达系统中，射频功率放大器是关键组件之一。BLF7G20LS-200,118 能够在高频率下提供大功率输出，适用于脉冲雷达发射机的设计。
   - 连续波雷达：该晶体管也可用于连续波雷达系统，提供稳定且高效的射频功率输出。

4. 测试与测量设备：
   - 信号发生器和频谱分析仪：在实验室环境中，射频功率晶体管用于测试设备中，帮助生成和分析复杂的射频信号。BLF7G20LS-200,118 的性能使其成为这些设备的理想选择。

总之，BLF7G20LS-200,118 凭借其卓越的射频性能和高功率处理能力，广泛应用于通信、工业和测试测量等领域，为各种射频应用提供了可靠的技术支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G20LS-200,118
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-8669-6
功率-输出	55W
包装	Digi-Reel®
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.62A
频率	1.8GHz ~ 1.88GHz
额定电流	-