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型号： BLF7G20LS-200,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20LS-200,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20LS-200,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20LS-200,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 1.62A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18dB 55W SOT502B。您可以下载BLF7G20LS-200,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G20LS-200,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLF7G20LS-200,112 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，主要用于高频功率放大器应用。以下是其主要应用场景：

 1. 无线通信设备
   - 基站：BLF7G20LS-200,112 常用于蜂窝基站中的射频功率放大器，支持多种通信标准（如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 等）。它能够提供高效率和高线性度，确保信号传输的稳定性和可靠性。
   - 微波通信：在点对点或点对多点微波通信系统中，该器件可以作为功率放大器的核心组件，适用于长距离无线数据传输。

 2. 雷达系统
   - 军用雷达：在军事雷达系统中，该晶体管可用于发射机部分，提供高功率输出以增强探测范围和精度。
   - 气象雷达：用于气象监测的雷达系统中，该器件能够提供稳定的射频功率输出，帮助更准确地检测天气变化。

 3. 广播系统
   - FM/AM 广播：在广播电台的发射机中，BLF7G20LS-200,112 可以作为功率放大器的关键元件，确保广播信号的覆盖范围广且质量高。
   - 数字音频广播 (DAB)：该器件也适用于数字音频广播系统，提供高效且低失真的射频功率放大。

 4. 测试与测量设备
   - 信号发生器：在实验室环境中，该晶体管可用于构建高性能的射频信号发生器，产生高精度的射频信号。
   - 频谱分析仪：在频谱分析仪等测试设备中，该器件可以帮助提高设备的灵敏度和动态范围。

 5. 工业应用
   - 射频加热：在工业射频加热设备中，该晶体管可以提供高效的能量转换，广泛应用于塑料焊接、木材干燥等领域。
   - 等离子体生成：在等离子体处理设备中，该器件可用于生成稳定的射频电源，应用于半导体制造、材料表面处理等工艺。

总之，BLF7G20LS-200,112 凭借其出色的射频性能和高功率输出能力，广泛应用于各种需要高效射频功率放大的领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G20LS-200,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934064584112
功率-输出	55W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.62A
频率	1.8GHz ~ 1.88GHz
额定电流	-