Datasheet下载- 型号： BLF6G22LS-75,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-75,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-75,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-75,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G22LS-75,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-75,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G22LS-75,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号专为高频射频应用设计，具有高功率输出、高效率和宽频带特性。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信系统 BLF6G22LS-75,118 适用于基站、中继器和其他无线通信设备中的射频功率放大器（RF PA）。它能够提供稳定的功率输出，在 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等现代通信标准中表现出色。 2. 广播发射机 该器件可用于 AM/FM 广播发射机的射频功率放大阶段，支持高效的能量转换和高质量的信号传输。 3. 工业、科学和医疗（ISM）领域 在 ISM 频段的应用中，例如微波加热、等离子体生成和射频焊接设备，BLF6G22LS-75,118 提供了所需的高功率输出和可靠性。 4. 雷达系统 由于其高频特性和高功率处理能力，该晶体管适合用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他需要大功率射频信号的雷达系统。 5. 航空航天与国防 在军事通信、卫星通信和电子战系统中，这款 MOSFET 可以用作射频功率放大器的核心组件，确保信号的远距离传输和抗干扰能力。 6. 测试与测量设备 BLF6G22LS-75,118 还可应用于高性能的射频测试仪器中，如信号发生器和频谱分析仪，帮助工程师精确评估射频电路性能。 总结来说，BLF6G22LS-75,118 凭借其卓越的射频性能和稳定性，广泛应用于需要高功率射频信号处理的各种场景，特别是在通信、广播、工业和国防领域中发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BASESTATION 2-LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G22LS-75,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934061559118 |
| 功率-输出 | 17W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.7dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 690mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 18A |
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