【未分类_BLF6G22LS-75,112】封装/厂家_BLF6G22LS-75,112中文资料_价格

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型号： BLF6G22LS-75,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-75,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-75,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-75,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G22LS-75,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-75,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF6G22LS-75,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类型，专为高频射频应用设计。以下是其主要应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - BLF6G22LS-75,112 适用于射频功率放大器的设计，特别是在广播、通信和工业领域中需要高效率和高增益的场景。
   - 它能够在 L 波段（约 1.2 至 1.4 GHz）提供出色的性能，适合用于广播电视发射机或通信基站中的功率放大。

 2. 无线通信系统
   - 该器件可广泛应用于无线通信设备，如对讲机、蜂窝网络基站以及卫星通信系统。
   - 在这些系统中，它能够有效地放大信号功率，确保长距离传输和高质量的通信效果。

 3. 工业加热与等离子体应用
   - 在工业领域，这款 MOSFET 可用于射频感应加热、无线电频率焊接以及等离子体生成等应用。
   - 其高功率处理能力和稳定性使其成为这些高温、高能量需求环境的理想选择。

 4. 医疗设备
   - 在医疗行业中，BLF6G22LS-75,112 可用于射频治疗设备，例如射频美容仪器或肿瘤消融设备。
   - 这些设备依赖于精确控制的射频能量输出，而该晶体管能够提供稳定的功率放大。

 5. 测试与测量设备
   - 射频测试仪器（如信号发生器、频谱分析仪）可能使用该器件来增强其射频信号的强度和准确性。
   - 它有助于实现更精确的测量结果，尤其是在高频范围内的复杂信号分析。

 总结
BLF6G22LS-75,112 的核心优势在于其出色的射频性能、高功率处理能力以及宽泛的工作频率范围。这使得它在广播、通信、工业、医疗及测试设备等领域具有广泛的适用性。对于需要高效、可靠射频功率放大的应用来说，这款晶体管是一个理想的选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS BASESTATION 2-LDMOST
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G22LS-75,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-8650 934061559112 BLF6G22LS-75 BLF6G22LS-75,112-ND BLF6G22LS-75-ND
功率-输出	17W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	18.7dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	690mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	18A