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型号： BLF6G22LS-180RN:11
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-180RN:11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-180RN:11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-180RN:11封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G22LS-180RN:11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-180RN:11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF6G22LS-180RN:11 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET 类型。该型号专为高频射频应用设计，具有高功率处理能力、高增益和高效率的特点，广泛应用于以下场景：

1. 射频功率放大器：  
   该器件适用于 L 波段（约 1.2 至 1.4 GHz）的射频功率放大器，特别是在通信系统中，用于提高信号强度和传输距离。

2. 航空与国防：  
   - 雷达系统：在地面雷达、机载雷达或舰载雷达中，作为功率放大器的核心组件，提供高功率输出以增强探测范围和精度。  
   - 电子战设备：用于干扰器、信号 jammer 等设备中，实现高效的射频信号发射。

3. 无线通信基础设施：  
   - 在蜂窝基站、卫星通信或其他无线通信系统中，用作功率放大器的关键元件，支持数据传输和语音通信。  
   - 特别适合需要高可靠性和高效率的远程通信应用场景。

4. 工业、科学和医疗（ISM）领域：  
   - 在 ISM 频段的应用中，例如微波加热设备、等离子体发生器或射频能量传输系统，提供稳定的功率输出。

5. 测试与测量设备：  
   - 在射频测试仪器中，如信号发生器或频谱分析仪，用于生成高精度、高功率的射频信号。

总结来说，BLF6G22LS-180RN:11 主要应用于需要高功率、高效率射频信号放大的场合，特别是在通信、国防和工业领域中发挥重要作用。其出色的性能使其成为许多高端射频系统的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS POWER 180W SOT-502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G22LS-180RN:11
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934062734118
功率-输出	40W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	100
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	1.4A
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	49A