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型号： BLF6G22LS-180RN,11
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-180RN,11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-180RN,11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-180RN,11封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G22LS-180RN,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-180RN,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLF6G22LS-180RN,11 是一款射频 (RF) 晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别。这款器件专为高频、高功率应用设计，广泛应用于以下场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - 主要用于无线通信系统中的射频信号放大。
   - 可在广播、蜂窝基站、卫星通信等高频环境中提供高效的功率输出。

 2. 无线通信设备
   - 适用于 GSM、CDMA、LTE 等移动通信技术的基站设备。
   - 提供稳定的射频信号增益，支持高效的数据传输和覆盖范围扩展。

 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段中，用于加热、焊接、等离子体生成等应用。
   - 其高功率处理能力和频率稳定性使其成为这些领域的理想选择。

 4. 航空与国防
   - 用于雷达系统、电子战设备和通信系统。
   - 支持高可靠性、高效率的射频信号处理，满足严苛环境下的性能要求。

 5. 广播电视
   - 用于电视和广播发射机中的射频功率放大。
   - 提供高质量的信号传输，确保覆盖范围内的清晰接收。

 6. 测试与测量设备
   - 在实验室环境中，用于测试射频电路和设备的性能。
   - 提供精确的功率输出和频率控制。

BLF6G22LS-180RN,11 的高性能特性（如高功率密度、低热阻和宽频率范围）使其成为上述应用场景的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G22LS-180RN,11
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-8649 934062734112 BLF6G22LS-180RN,11-ND BLF6G22LS180RN11
功率-输出	40W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	1.4A
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	49A