Datasheet下载- 型号： BLF6G22LS-180PN:11
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-180PN:11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-180PN:11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-180PN:11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G22LS-180PN:11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-180PN:11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G22LS-180PN:11 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET 类型。该型号专为高频和高功率应用设计，主要应用于射频功率放大器领域。以下是其典型应用场景： 1. 无线通信系统 该器件适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。它能够提供高效的功率输出，支持多种通信标准，如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等。 2. 广播系统 在 AM/FM 广播发射机中，BLF6G22LS-180PN:11 可用作功率放大器的核心组件，提供稳定的射频信号输出，确保广播信号的覆盖范围和质量。 3. 工业、科学和医疗（ISM）应用 此类射频晶体管广泛用于 ISM 领域，例如无线电频率加热、等离子体生成和医疗设备中的射频能量传输。 4. 航空与国防 在雷达系统、卫星通信和电子战设备中，该器件可实现高效能的射频信号放大，满足高性能和可靠性的要求。 5. 测试与测量设备 射频测试仪器需要高精度和高功率的信号源，BLF6G22LS-180PN:11 能够在这些设备中提供稳定的射频输出。 总结来说，BLF6G22LS-180PN:11 的应用场景集中在需要高功率射频信号放大的领域，包括通信、广播、工业设备以及航空航天等行业。其卓越的性能和可靠性使其成为许多专业应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G22LS-180PN:11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064282118 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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