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型号： BLF6G22LS-180PN,11
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-180PN,11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-180PN,11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-180PN,11封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G22LS-180PN,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-180PN,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF6G22LS-180PN,11 是一款射频功率晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件主要应用于高频射频领域，以下是其典型应用场景：

1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)：  
   该型号适用于设计高性能的射频功率放大器，广泛用于广播、通信基站和其他需要高功率射频信号放大的场合。

2. 无线通信系统：  
   包括蜂窝通信基站、对讲机、卫星通信等，BLF6G22LS-180PN,11 可提供高效率和高增益的射频信号处理能力。

3. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段应用：  
   在 ISM 频段内，如微波加热设备、无线能量传输和射频等离子体发生器中，这款晶体管可以实现高效的功率转换。

4. 业余无线电 (HAM Radio)：  
   业余无线电爱好者可以使用该晶体管构建高功率射频发射机，以提升信号覆盖范围和通信质量。

5. 测试与测量设备：  
   在射频测试仪器中，例如信号发生器和频谱分析仪，该器件可作为核心功率放大组件。

6. 雷达系统：  
   由于其出色的射频性能，BLF6622LS-180PN,11 能够支持雷达系统的发射模块，提供稳定的高功率输出。

7. 航空航天和国防：  
   在需要高可靠性和高功率密度的航空航天及国防应用中，这款晶体管可用于导航、通信和探测设备。

总结来说，BLF6G22LS-180PN,11 凭借其卓越的射频性能，特别适合需要高功率、高效率和宽频率范围的应用场景。它在现代通信、工业和军事领域中扮演着重要角色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G22LS-180PN,11
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934064282112
功率-输出	50W
包装	管件
噪声系数	-
增益	17.5dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	32V
电压-额定	65V
电流-测试	1.6A
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	-