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型号： BLF6G22LS-100,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-100,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-100,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-100,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.2dB 25W SOT502B。您可以下载BLF6G22LS-100,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-100,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF6G22LS-100,112 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别。其主要应用场景集中在高功率射频放大器领域，以下是具体的应用场景分析：

 1. 广播通信
   - 该型号适用于 AM/FM 广播发射机中的射频功率放大器。它能够提供高效率和高线性度的信号放大，确保广播信号的稳定传输。
   - 特别适合中波和短波广播系统，满足大范围覆盖的需求。

 2. 无线通信基础设施
   - 在基站设备中，BLF6G22LS-100,112 可用于射频功率放大器的设计。它支持高频率范围内的信号增强，适用于 2G、3G 和部分 4G 网络的基站应用。
   - 提供稳定的输出功率和高效的能量转换，降低整体能耗。

 3. 工业、科学与医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段的应用中（如微波加热、等离子体生成等），这款器件可以实现高效的能量传输和控制。
   - 其高功率处理能力使其成为工业加热设备的理想选择。

 4. 航空与国防
   - 用于雷达系统中的射频功率放大器，提供高增益和可靠性，确保探测信号的远距离传输。
   - 在导航和通信设备中，支持高精度和高可靠性的信号处理。

 5. 测试与测量设备
   - 在实验室环境中，BLF6G22LS-100,112 可用作信号源放大器，为测试设备提供稳定的高频信号输出。
   - 支持复杂信号的生成和分析，满足科研和开发需求。

 总结
BLF6G22LS-100,112 凭借其高功率、高效率和宽频率范围的特点，广泛应用于广播通信、无线基础设施、ISM 设备、国防雷达以及测试测量等领域。其卓越的性能表现使其成为射频功率放大器设计中的关键元件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS BASESTATION 2-LDMOST
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G22LS-100,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-8648 934061129112 BLF6G22LS-100 BLF6G22LS-100,112-ND BLF6G22LS-100-ND BLF6G22LS100112
功率-输出	25W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	18.2dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	950mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	29A