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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS BASESTATION 2-LDMOST |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BLF6G22LS-100,118 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | SOT502B |
其它名称 | 934061129118 |
功率-输出 | 25W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 18.5dB |
封装/外壳 | SOT-502B |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 100 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 950mA |
频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
额定电流 | 29A |