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Datasheet下载- 型号： BLF6G22LS-100,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-100,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-100,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-100,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.2dB 25W SOT502B。您可以下载BLF6G22LS-100,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-100,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G22LS-100,118 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET 类型，专为高频、高功率的应用场景设计。以下是该型号的主要应用场景：
1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
- BLF6G22LS-100,118 适用于射频功率放大器的设计，尤其是在 L 波段（约 1.2 至 1.4 GHz）和 S 波段（约 2 至 4 GHz）的频率范围内。
- 典型应用包括无线通信基站、雷达系统和卫星通信设备。
2. 广播系统
- 在广播领域，该器件可用于电视和 FM 广播发射机的功率放大阶段，提供高效的射频信号放大。
- 它能够满足广播行业对高可靠性、高效率和高线性度的要求。
3. 航空航天与国防
- 该型号在航空航天和国防领域有广泛应用，例如：
- 雷达系统：用于气象雷达、空中交通管制雷达和军事雷达的射频前端。
- 电子对抗：支持电子战系统中的信号发射和干扰功能。
- 卫星通信：为地面站和卫星之间的数据传输提供稳定的射频功率输出。
4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
- 在 ISM 频段内，BLF6G22LS-100,118 可用于各种非通信类的射频能量应用，例如：
- 工业加热：如塑料焊接、干燥过程等。
- 医疗设备：如射频消融设备，用于治疗癌症或其他疾病。
5. 测试与测量设备
- 在实验室环境中，该器件可集成到射频信号发生器或功率计中，用于测试其他射频组件或系统的性能。
性能特点
- 高功率输出：能够在指定频率范围内提供高达 100 W 的连续波（CW）功率输出。
- 高效率：采用先进的半导体工艺，确保在高功率水平下保持较高的能量转换效率。
- 宽动态范围：支持多种调制模式，适合复杂的现代通信标准。
总之，BLF6G22LS-100,118 是一款高性能的射频 MOSFET，广泛应用于需要高功率、高效率和高可靠性的射频系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BASESTATION 2-LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G22LS-100,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934061129118 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 29A |
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