ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF6G22-180RN,112
Datasheet下载- 型号： BLF6G22-180RN,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22-180RN,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22-180RN,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22-180RN,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 30V 1.4A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 40W LDMOST。您可以下载BLF6G22-180RN,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22-180RN,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.生产的BLF6G22-180RN,112是一款射频晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号专为高频、高功率射频应用设计，具有以下典型应用场景： 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers) - 该器件适用于广播通信、无线基础设施和工业科学医疗（ISM）领域的射频功率放大器。 - 在广播电视领域，可用于UHF频段的电视和FM广播发射机中，提供高效的功率输出。 2. 无线通信系统 - BLF6G22-180RN,112可应用于蜂窝通信基站、微波链路和其他无线通信系统中的功率放大器模块。 - 支持高效率的信号传输，满足现代通信对带宽和功率的需求。 3. 工业、科学和医疗设备 (ISM) - 在工业加热、等离子体生成和医疗成像设备中，这款射频晶体管能够提供稳定的高功率输出。 - 例如，用于MRI（核磁共振成像）设备的射频激励源或工业材料加热设备。 4. 雷达和航空航天 - 由于其高功率和高频特性，该器件适合用于雷达系统中的发射机部分。 - 可应用于气象雷达、空中交通管制雷达以及卫星通信系统。 5. 测试与测量设备 - 在射频测试仪器中，如信号发生器、频谱分析仪等，这款晶体管可以作为功率放大组件，提供精确的射频信号输出。 性能特点 - 高功率密度：支持高达180W的连续波（CW）输出功率。 - 宽带操作能力：覆盖较宽的频率范围（通常在几十MHz到几百MHz之间）。 - 高效率：优化的Doherty架构设计，确保在不同负载条件下保持高效运行。 - 可靠性强：采用坚固的封装设计，适合恶劣环境下的长期使用。 总之，BLF6G22-180RN,112是一款高性能射频MOSFET，广泛应用于需要高功率、高效率和稳定性能的射频系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G22-180RN,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8647 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 49A |
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