ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF6G22-180PN,135
Datasheet下载- 型号： BLF6G22-180PN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22-180PN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22-180PN,135价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22-180PN,135封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 32V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17.5dB 50W SOT539A。您可以下载BLF6G22-180PN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22-180PN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G22-180PN,135 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号专为射频应用设计，具有高功率处理能力和优异的效率表现，适用于以下典型应用场景： 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers) - BLF6G22-180PN,135 主要用于 L 波段和 S 波段的射频功率放大器中。 - 其工作频率范围通常在 220 MHz 至 450 MHz 之间，适合广播、通信和工业应用中的高频信号放大。 - 高输出功率特性使其成为广播电视发射机的理想选择。 2. 无线通信系统 - 该器件可用于蜂窝基站、对讲机和其他无线通信设备中的功率放大模块。 - 在这些场景中，其高效率和稳定性有助于降低功耗并提高信号传输质量。 3. 航空与国防领域 - BLF6G22-180PN,135 可应用于雷达系统、导航设备以及军事通信设备中。 - 它的高可靠性使其能够在严苛环境下运行，满足航空航天和国防领域的特殊需求。 4. 工业加热与等离子体生成 - 在工业应用中，这款 MOSFET 可用于射频感应加热、等离子体激发和材料处理等领域。 - 其强大的功率输出能力能够支持高效的能量转换过程。 5. 测试与测量设备 - 实验室中的信号发生器、频谱分析仪等测试设备也可能使用该型号来实现精确的射频信号生成或放大。 总结来说，BLF6G22-180PN,135 凭借其卓越的射频性能，广泛应用于广播、通信、工业以及国防等多个领域，尤其适合需要高功率、高效率射频放大的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G22-180PN,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 934061276135 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
