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型号： BLF6G22-180PN,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22-180PN,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22-180PN,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22-180PN,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS（双），共源 32V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17.5dB 50W SOT539A。您可以下载BLF6G22-180PN,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22-180PN,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF6G22-180PN,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类型，专为高频和高功率射频应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - BLF6G22-180PN,112 适用于 L 波段（约 1.2 至 1.4 GHz）的射频功率放大器。其高功率输出能力和高增益特性使其成为雷达、通信系统和广播设备的理想选择。
   - 典型应用包括气象雷达、空中交通管制雷达以及军事雷达系统。

 2. 无线通信
   - 在蜂窝基站中，该晶体管可用于提高信号覆盖范围和传输效率。它支持高线性度和低失真性能，适合需要高质量信号传输的场景。
   - 还可用于卫星通信系统中的上行链路放大器，确保信号在长距离传输中的稳定性。

 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段内，BLF6G22-180PN,112 可用于各种非通信类射频应用，例如射频加热、等离子体生成和医疗设备（如射频消融治疗）。
   - 其高功率密度和可靠性使其能够胜任这些对能量要求较高的任务。

 4. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中，这款晶体管可作为功率放大模块的核心组件，提供稳定的输出功率和频率响应。
   - 常见于频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器中。

 5. 业余无线电
   - 对于业余无线电爱好者，BLF6G22-180PN,112 可用于自制高功率射频发射机，特别是在需要覆盖较远距离的情况下。
   - 它的宽频带特性和易于驱动的特点使得其非常适合 DIY 项目。

 总结
BLF6G22-180PN,112 的主要优势在于其出色的射频性能，包括高功率输出（可达 180W）、高增益和良好的线性度。这些特点使其广泛应用于雷达、通信、医疗和工业领域，同时也能满足专业测试设备及业余无线电的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS BASESTATION SOT539A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G22-180PN,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT539A
其它名称	934061276112 BLF6G22-180PN BLF6G22-180PN-ND
功率-输出	50W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	17.5dB
封装/外壳	SOT539A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	32V
电压-额定	65V
电流-测试	1.6A
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	-