【未分类_BLF6G20LS-75,118】封装/厂家_BLF6G20LS-75,118中文资料_价格

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型号： BLF6G20LS-75,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20LS-75,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20LS-75,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20LS-75,118封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G20LS-75,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20LS-75,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF6G20LS-75,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件专为高频射频应用设计，具有高功率处理能力、高增益和高效率的特点。以下是其主要应用场景：

1. 射频功率放大器：  
   BLF6G20LS-75,118 适用于设计射频功率放大器，尤其是在需要高功率输出的场景中，例如广播通信、工业加热和医疗设备。

2. 无线通信系统：  
   该器件可用于无线通信基础设施，如基站、中继站和无线电通信设备。它能够提供稳定的射频信号放大，支持高效的无线数据传输。

3. 航空航天与国防：  
   在雷达系统、卫星通信和导航设备中，BLF6G20LS-75,118 可用于实现高性能的射频信号处理，满足苛刻的工作环境要求。

4. 工业应用：  
   包括等离子体生成、材料加热和焊接等领域，这款 MOSFET 能够提供所需的高功率射频能量。

5. 医疗设备：  
   在医疗成像和治疗设备中，如磁共振成像 (MRI) 和射频消融设备，该器件可以确保精确的射频能量控制。

总之，BLF6G20LS-75,118 凭借其优异的射频性能，广泛应用于需要高功率、高效率和高可靠性的射频领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC BASESTATION FINAL SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G20LS-75,118
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934060922118 BLF6G20LS-75 /T3 BLF6G20LS-75 /T3-ND
功率-输出	29.5W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	550mA
频率	1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电流	18A