【未分类_BLF6G20LS-75,112】封装/厂家_BLF6G20LS-75,112中文资料_价格

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型号： BLF6G20LS-75,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20LS-75,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20LS-75,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20LS-75,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G20LS-75,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20LS-75,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF6G20LS-75,112 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类别，并专门针对射频（RF）应用进行了优化。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - 该器件广泛应用于射频功率放大器的设计中，特别是在高频通信领域。其高效率和大功率处理能力使其非常适合用于广播、雷达和无线通信系统中的功率放大。
   - 典型应用包括 AM/FM 广播发射机、短波电台以及甚高频（VHF）和超高频（UHF）频段的信号放大。

 2. 工业、科学与医疗（ISM）频段
   - 在 ISM 频段中，BLF6G20LS-75,112 可用于各种设备，例如无线电频率加热装置、等离子体发生器和医疗设备中的能量传输系统。
   - 它能够提供稳定的输出功率，在需要精确控制能量的应用中表现优异。

 3. 航空航天与国防
   - 此类 MOSFET 器件常用于航空航天和国防领域的高性能射频系统，如卫星通信、导航系统以及军事雷达。
   - 它们具备出色的可靠性和耐用性，能够在极端环境条件下工作，满足严苛的技术要求。

 4. 无线基础设施
   - 在现代无线通信网络中，这款晶体管可用于基站的射频功率放大器部分。它支持高效的数据传输并减少能源消耗，适用于 2G、3G、4G LTE 和部分 5G 网络的基础设施建设。

 5. 测试与测量设备
   - 射频工程师使用基于 BLF6G20LS-75,112 的设备来进行信号分析、频谱监测和其他相关测试任务。这些设备需要高度线性且低失真的性能，而这正是该晶体管的优势所在。

总结来说，BLF6G20LS-75,112 是一款专为高频率、高功率射频应用设计的 MOSFET 晶体管，适合广播、通信、工业、国防等多个领域。它的高性能特性确保了在复杂环境下依然可以稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC BASESTATION FINAL SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G20LS-75,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-8645 934060922112 BLF6G20LS-75 BLF6G20LS-75,112-ND BLF6G20LS-75-ND BLF6G20LS75112
功率-输出	29.5W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	19dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	550mA
频率	1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电流	18A