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型号： BLF6G20LS-180RN:11
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20LS-180RN:11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20LS-180RN:11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20LS-180RN:11封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G20LS-180RN:11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20LS-180RN:11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF6G20LS-180RN:11 的晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类别，并专门针对射频（RF）应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - 该器件适用于射频功率放大器的设计，广泛用于无线通信系统中。例如，广播电台、蜂窝基站和卫星通信设备中的功率放大模块。
   - 其高效率和高增益特性使其成为高频信号放大的理想选择。

 2. 雷达系统
   - 在军事和民用雷达系统中，该器件可作为核心功率放大元件，用于发射高功率射频信号。
   - 支持脉冲调制信号的高效放大，满足雷达对高可靠性、高稳定性的要求。

 3. 业余无线电 (Ham Radio)
   - BLF6G20LS-180RN:11 可用于业余无线电爱好者自制的高功率射频发射机，提供稳定的输出功率。
   - 特别适合需要在高频段工作的业余无线电设备。

 4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段的应用中，如微波加热、等离子体生成和射频焊接设备中，该器件可以提供高效的功率转换。
   - 其耐高温和高功率密度的特点，使其非常适合这些高强度工作环境。

 5. 测试与测量设备
   - 用于高性能射频信号发生器或频谱分析仪中，提供精确的功率输出和频率范围覆盖。
   - 满足实验室环境中对高精度射频测试的需求。

 技术特点支持的应用需求：
- 高功率处理能力：能够处理高达 180W 的射频功率（具体取决于工作条件），适合需要高功率输出的应用场景。
- 宽频率范围：覆盖从几十 MHz 到 GHz 的频率范围，适应多种通信标准。
- 高效率和低失真：确保在高频段下仍能保持良好的线性度和效率，降低能耗和热损耗。

总结来说，BLF6G20LS-180RN:11 主要应用于需要高功率、高效率射频信号放大的领域，包括通信、雷达、ISM 和测试测量设备等。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G20LS-180RN:11
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934062732118
功率-输出	40W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.2dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	100
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	1.4A
频率	1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电流	49A