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型号： BLF6G20LS-140,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20LS-140,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20LS-140,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20LS-140,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 1A 1.93GHz ~ 1.99GHz 16.5dB 35.5W SOT502B。您可以下载BLF6G20LS-140,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20LS-140,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc.生产的BLF6G20LS-140,112是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。该器件特别适用于需要高效、高增益和宽带性能的场合。以下是其主要应用场景：

 1. 无线通信基站
   BLF6G20LS-140,112广泛应用于无线通信基站中的射频功率放大器（PA）。它能够提供稳定的输出功率和高效的能量转换，确保信号在长距离传输时保持高质量。特别是在4G LTE和5G网络中，该器件能够在高频段（如2.6 GHz及更高频率）下表现出色，满足基站对高功率和低失真的要求。

 2. 雷达系统
   在雷达系统中，射频功率放大器是关键组件之一。BLF6G20LS-140,112可以用于脉冲雷达或连续波雷达中的发射机部分，提供足够的功率以确保雷达信号能够覆盖所需的探测范围。该器件的高线性度和低噪声特性有助于提高雷达系统的分辨率和准确性。

 3. 工业加热与等离子体生成
   射频功率放大器在工业加热和等离子体生成领域也有广泛应用。例如，在半导体制造过程中，等离子体刻蚀和沉积设备需要稳定的射频电源来维持等离子体状态。BLF6G20LS-140,112可以为这些设备提供可靠的射频功率输出，确保工艺的稳定性和一致性。

 4. 广播电台
   广播电台的发射机通常需要大功率射频放大器来将音频信号转换为无线电波并进行远距离传输。BLF6G20LS-140,112凭借其高效率和宽频带特性，能够胜任FM广播、调幅广播等应用中的射频功率放大任务，确保信号清晰且覆盖范围广。

 5. 军事通信与电子战
   军事通信系统和电子战设备对射频功率放大器的要求极为严格，尤其是在对抗干扰和保密通信方面。BLF6G20LS-140,112具有良好的抗干扰能力和可靠性，能够在复杂的电磁环境中稳定工作，适用于军用通信、干扰机和侦察设备等场景。

总之，BLF6G20LS-140,112凭借其出色的射频性能和可靠性，广泛应用于通信、雷达、工业、广播以及军事等领域，尤其适合需要高功率、高效能和宽带操作的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC BASESTATION FINAL SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G20LS-140,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-4419 934060897112 BLF6G20LS-140 BLF6G20LS-140-ND BLF6G20LS140112
功率-输出	35.5W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	16.5dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1A
频率	1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电流	39A