Datasheet下载- 型号： BLF6G20LS-110,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20LS-110,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20LS-110,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20LS-110,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G20LS-110,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20LS-110,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 生产的 BLF6G20LS-110,112 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频射频功率放大领域，具体应用场景如下： 1. 无线通信基站：BLF6G20LS-110,112 可用于蜂窝基站中的射频功率放大器，支持高效传输信号。其高频率和大功率特性使其适合 LTE、5G 和其他现代通信标准。 2. 广播系统：在 FM/AM 广播中，这款器件能够提供稳定的射频功率输出，确保广播信号覆盖范围广且质量高。 3. 航空航天与国防：适用于雷达系统、卫星通信以及电子对抗设备中的功率放大模块，因其具备高可靠性及宽频带性能。 4. 工业科学医疗 (ISM) 领域：例如微波加热、等离子体生成等需要射频能量的应用场合，该产品可以实现高效的能量转换。 5. 测试测量仪器：用作信号源或功率放大器组件，为实验室环境下的射频测试提供精确可控的功率输出。 总结来说，BLF6G20LS-110,112 凭借其卓越的射频性能，在需要高性能射频功率放大的各种场景中均有广泛应用，包括但不限于通信、广播、国防、ISM 应用及测试设备等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION FINAL SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G20LS-110,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-8643 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 29A |
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