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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G15L-500H,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G15L-500H,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G15L-500H,112封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS(双),共源 50V 1.3A 1.45Ghz ~ 1.49GHz 16dB 65W SOT539A。您可以下载BLF6G15L-500H,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G15L-500H,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 生产的 BLF6G15L-500H,112 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管,专为高频和高功率应用设计。以下是该型号的主要应用场景: 1. 射频功率放大器 BLF6G15L-500H,112 广泛应用于射频功率放大器中,特别是在需要高效、高增益和宽频带性能的场合。它能够处理高达 500W 的输出功率,适用于广播电台、无线通信基站等设备。该晶体管在 L 波段(1.2GHz 至 1.4GHz)表现出色,特别适合于军事通信、卫星通信和雷达系统。 2. 无线电发射设备 这款晶体管也常用于各种无线电发射设备中,如业余无线电、对讲机、移动通信基站等。其高功率处理能力和低噪声特性使其成为这些设备的理想选择。此外,它还支持多种调制方式,如 AM、FM 和数字调制,确保了广泛的适用性。 3. 工业加热与等离子体应用 在工业领域,BLF6G15L-500H,112 可用于高频感应加热、材料处理和等离子体生成。例如,在金属焊接、热处理和半导体制造过程中,射频电源需要高效且稳定的功率输出,这款晶体管能够满足这些要求。 4. 医疗设备 在医疗领域,该晶体管可用于射频消融设备和其他需要精确控制射频能量的应用。它能够提供稳定的功率输出,确保治疗过程的安全性和有效性。 5. 测试与测量设备 BLF6G15L-500H,112 还广泛应用于射频测试与测量设备中,如信号发生器、频谱分析仪等。其优异的线性和稳定性使得这些设备能够准确地测量和生成复杂的射频信号。 总结 BLF6G15L-500H,112 射频 MOSFET 晶体管凭借其高功率处理能力、宽频带响应和低噪声特性,适用于多种高频、高功率应用场景。无论是通信、工业还是医疗领域,它都能提供可靠的性能,满足不同行业的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BLF6G15L-500H,112 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | SOT539A |
其它名称 | 934065223112 |
功率-输出 | 65W |
包装 | 托盘 |
噪声系数 | - |
增益 | 16dB |
封装/外壳 | SOT539A |
晶体管类型 | LDMOS(双) |
标准包装 | 60 |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 100V |
电流-测试 | 1.3A |
频率 | 1.45Ghz ~ 1.49GHz |
额定电流 | 45A |