ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF6G15L-250PBRN,1
Datasheet下载- 型号： BLF6G15L-250PBRN,1
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G15L-250PBRN,1由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G15L-250PBRN,1价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G15L-250PBRN,1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 1.41A 1.47GHz ~ 1.51GHz 18.5dB 60W LDMOST。您可以下载BLF6G15L-250PBRN,1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G15L-250PBRN,1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 生产的 BLF6G15L-250PBRN,1 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号特别适用于高频、高功率射频应用，具体应用场景如下： 1. 射频功率放大器 (RF PA) BLF6G15L-250PBRN,1 主要用于射频功率放大器中，特别是在需要高功率输出的应用场景。它能够在 L 波段（1.2 至 1.4 GHz）内提供高达 250W 的峰值脉冲功率，适合于各种无线通信系统中的发射机部分。 2. 雷达系统 在军事和民用雷达系统中，这款晶体管可以用于发射机的功率放大级。其高功率输出和宽频带特性使其能够适应多种雷达波形的要求，如脉冲压缩雷达、相控阵雷达等。 3. 广播和卫星通信 该晶体管也可应用于广播和卫星通信系统中，特别是在地面站和卫星上行链路的发射机部分。它的高效率和可靠性确保了信号的稳定传输，同时减少了能量损耗。 4. 工业加热与等离子体生成 除了通信领域，BLF6G15L-250PBRN,1 还可用于工业加热设备和等离子体生成装置中。例如，在无线电频率感应加热（RFIH）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）过程中，这款晶体管可以提供稳定的射频功率输出，确保工艺的高效性和一致性。 5. 测试与测量设备 在射频测试与测量设备中，这款晶体管可以作为信号源或功率放大器的关键组件。它能够为测试仪器提供高精度的射频信号，帮助工程师进行各种射频性能测试和验证。 总结 BLF6G15L-250PBRN,1 凭借其卓越的射频性能和高功率输出能力，广泛应用于射频功率放大器、雷达系统、广播和卫星通信、工业加热以及测试与测量设备等领域。其高可靠性和稳定性使其成为这些应用场景中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1110A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G15L-250PBRN,1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934064301112 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.41A |
| 频率 | 1.47GHz ~ 1.51GHz |
| 额定电流 | 64A |
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