ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF6G15L-250PBRN:1
Datasheet下载- 型号： BLF6G15L-250PBRN:1
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G15L-250PBRN:1由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G15L-250PBRN:1价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G15L-250PBRN:1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 1.41A 1.47GHz ~ 1.51GHz 18.5dB 60W LDMOST。您可以下载BLF6G15L-250PBRN:1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G15L-250PBRN:1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G15L-250PBRN:1 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，广泛应用于射频功率放大器（RF PA）领域。这款晶体管具有高效率、高增益和宽带宽的特点，适用于多种高频通信设备。 主要应用场景： 1. 无线通信基站：该晶体管可作为基站发射机中的射频功率放大器核心元件，支持 3G、4G LTE 和 5G 网络的信号放大。其高效能和稳定性确保了通信质量，并降低了能耗。 2. 航空与国防：在雷达系统、电子战设备和其他军事通信装置中，BLF6G15L-250PBRN:1 可以提供可靠的射频功率输出，满足复杂电磁环境下的高性能要求。 3. 工业应用：如无线电遥控设备、工业加热设备等需要高功率射频输出的应用场景中，该晶体管也能发挥重要作用。它能够承受较高的工作温度和电压，适应恶劣的工作环境。 4. 广播与卫星通信：用于广播电台的发射机、卫星地面站的上行链路放大器等，确保信号传输的稳定性和远距离覆盖能力。 5. 测试与测量仪器：在射频测试设备中，如信号发生器、频谱分析仪等，该晶体管可以提供稳定的射频信号源或放大功能，帮助工程师进行精确的射频性能测试。 特性优势： - 高功率处理能力：最高可达 250W 的连续波（CW）输出功率，适合大功率射频应用。 - 宽频率范围：工作频率范围广，涵盖 L 波段到 S 波段（约 1.8 GHz 至 3.5 GHz），适用于多种通信标准。 - 低热阻设计：优化的封装结构有助于散热，延长使用寿命并提高可靠性。 - 易于集成：紧凑的封装尺寸便于集成到各种射频电路中，简化设计流程。 总之，BLF6G15L-250PBRN:1 在射频功率放大领域表现出色，是众多高要求应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1110A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G15L-250PBRN:1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934064301118 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.41A |
| 频率 | 1.47GHz ~ 1.51GHz |
| 额定电流 | 64A |
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