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型号： BLF6G10LS-135R,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-135R,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-135R,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-135R,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B。您可以下载BLF6G10LS-135R,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-135R,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF6G10LS-135R,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的射频 MOSFET 晶体管，广泛应用于高频和射频功率放大器领域。该型号晶体管具有高功率输出、高增益和良好的线性度，适用于多种射频应用，尤其是在无线通信和广播系统中。

 主要应用场景：

1. 无线通信基站：
   BLF6G10LS-135R,112 适用于 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 等蜂窝通信系统的基站功率放大器。它能够提供稳定的射频功率输出，确保信号传输的质量和覆盖范围。

2. 无线电发射设备：
   在业余无线电、航空无线电、航海无线电等领域的发射设备中，该晶体管可以作为功率放大器的核心元件，提供高效的射频功率输出，满足不同频率范围的需求。

3. 广播电视系统：
   在 FM 广播、电视发射机等应用中，BLF6G10LS-135R,112 可以用于射频功率放大器，确保广播信号的高质量传输，减少干扰和失真。

4. 工业、科学和医疗（ISM）应用：
   在 ISM 频段的应用中，如微波加热、RFID 系统、等离子体发生器等，该晶体管可以提供稳定的射频功率输出，确保设备的正常运行。

5. 军事和航空航天：
   在军事通信、雷达系统、卫星通信等领域，BLF6G10LS-135R,112 的高性能和可靠性使其成为理想的选择，能够在极端环境下保持稳定的工作状态。

 性能特点：
- 高功率输出：能够在较宽的频率范围内提供较高的射频功率输出。
- 高效率：优化的电路设计使得该晶体管在工作时具有较高的能量转换效率，减少了热量损失。
- 良好的线性度：确保在大信号条件下仍能保持较低的失真，适合对信号质量要求较高的应用。
- 宽温度范围：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能，适用于各种环境条件。

总之，BLF6G10LS-135R,112 是一款高性能的射频 MOSFET 晶体管，适用于需要高效、稳定射频功率输出的各种应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC BASESTATION FINAL SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G10LS-135R,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934061247112 BLF6G10LS-135R BLF6G10LS-135R-ND
功率-输出	26.5W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	21dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	950mA
频率	871.5MHz ~ 891.5MHz
额定电流	32A