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型号： BLF6G10LS-135R,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-135R,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-135R,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-135R,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B。您可以下载BLF6G10LS-135R,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-135R,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLF6G10LS-135R,118 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，专为高频和高功率应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频放大器
   BLF6G10LS-135R,118 广泛应用于射频放大器中，特别是在需要高增益和高效率的场合。它适用于无线通信系统中的发射机和接收机，如基站、卫星通信设备等。其高功率处理能力和低噪声特性使其成为理想的射频放大器元件。

 2. 雷达系统
   该晶体管在雷达系统中也有广泛应用，尤其是在脉冲雷达和连续波雷达中。由于其能够承受高电压和大电流，并且具有快速开关特性，因此非常适合用于雷达发射机的功率放大模块，确保信号的高效传输和接收。

 3. 工业加热与等离子体控制
   在工业应用中，BLF6G10LS-135R,118 可用于高频感应加热和等离子体控制系统。例如，在材料加工、焊接、热处理等领域，射频能量的精确控制至关重要，而该晶体管能够提供稳定的射频输出，确保加热过程的高效性和安全性。

 4. 无线充电设备
   随着无线充电技术的发展，射频 MOSFET 在无线充电设备中的应用也日益增多。BLF6G10LS-135R,118 可用于无线充电发射端的功率放大电路，确保高效的能量传输，同时减少发热和损耗，提升充电效率。

 5. 医疗设备
   在某些医疗设备中，如超声波设备、磁共振成像 (MRI) 系统等，射频 MOSFET 用于产生和调节高频信号。BLF6G10LS-135R,118 的高可靠性和稳定性使其成为这些设备的理想选择，确保信号的准确性和设备的安全性。

 6. 军事通信
   军事通信系统对射频器件的要求极高，尤其是对于抗干扰能力和可靠性。BLF6G10LS-135R,118 的高性能和耐用性使其成为军事通信设备中的关键组件，能够在恶劣环境下保持稳定工作。

总之，BLF6G10LS-135R,118 凭借其卓越的射频性能和可靠性，广泛应用于各种高功率、高频的电子设备中，尤其适合需要高效能和高稳定性的射频应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC BASESTATION FINAL SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G10LS-135R,118
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934061247118 BLF6G10LS-135R /T3 BLF6G10LS-135R /T3-ND
功率-输出	26.5W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	950mA
频率	871.5MHz ~ 891.5MHz
额定电流	32A