ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF6G10LS-135R,112
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLF6G10LS-135R,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-135R,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-135R,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-135R,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B。您可以下载BLF6G10LS-135R,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-135R,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION FINAL SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10LS-135R,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934061247112 |
| 功率-输出 | 26.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| 额定电流 | 32A |
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