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型号： BLF6G10-135RN,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10-135RN,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10-135RN,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10-135RN,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W LDMOST。您可以下载BLF6G10-135RN,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10-135RN,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF6G10-135RN,112 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类型，专为射频（RF）应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - 该器件适用于高频段的射频功率放大器设计，广泛用于无线通信系统。
   - 典型应用包括广播电视、蜂窝基站、对讲机和卫星通信等。

 2. 无线通信设备
   - 在无线通信领域，BLF6G10-135RN,112 可用于提高信号传输效率和覆盖范围。
   - 特别适合需要高增益和低失真的应用场景，例如 GSM、CDMA 和 LTE 系统。

 3. 雷达系统
   - 该器件能够提供高功率输出和良好的线性度，适用于气象雷达、军事雷达和交通监控雷达等领域。

 4. 业余无线电
   - 在业余无线电爱好者中，该型号可用于构建高性能的 HF（高频）或 VHF（甚高频）发射机。

 5. 工业、科学与医疗（ISM）应用
   - 在 ISM 频段，该器件可用于加热设备、等离子体生成器和医疗成像设备中的射频电源模块。

 6. 测试与测量设备
   - 作为射频信号源的一部分，该晶体管可用于测试仪器中，如频谱分析仪或网络分析仪。

 技术特点支持的应用需求：
   - 高频率性能：支持高达 6 GHz 的频率范围，满足现代通信系统的高频需求。
   - 高功率输出：能够提供稳定的射频功率输出，确保信号强度。
   - 高效率：优化的 MOSFET 设计降低功耗，提升整体系统效率。
   - 优异的热稳定性：适用于长时间运行的高功率应用场景。

总结来说，BLF6G10-135RN,112 是一款高性能的射频 MOSFET，主要应用于需要高功率、高频率和高效率的射频系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G10-135RN,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	LDMOST
其它名称	568-8634 934063263112 BLF6G10-135RN,112-ND
功率-输出	26.5W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	21dB
封装/外壳	SOT-502A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	950mA
频率	871.5MHz ~ 891.5MHz
额定电流	32A