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Datasheet下载- 型号： BLF246,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF246,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF246,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF246,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 28V 100mA 108MHz 18dB 80W CRFM4。您可以下载BLF246,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF246,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 生产的 BLF246,112 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，专为高频应用设计。以下是该型号晶体管的主要应用场景： 1. 射频功率放大器 BLF246,112 广泛应用于射频功率放大器中，特别是在无线通信领域。它能够在高频率下提供稳定的功率输出，适用于基站、无线电发射设备和卫星通信系统。其高增益和低噪声特性使其成为这些应用的理想选择。 2. 雷达系统 在雷达系统中，BLF246,112 可用于发射机部分，帮助生成高功率的射频信号。雷达系统的性能依赖于发射机的功率和稳定性，而这款晶体管能够确保信号的高质量传输，支持远距离探测和高精度成像。 3. 航空航天与国防 由于其卓越的射频性能和可靠性，BLF246,112 在航空航天和国防领域也有广泛应用。例如，在飞机、导弹和其他飞行器的通信系统中，它能够承受极端环境条件，并提供稳定可靠的射频信号传输。 4. 测试与测量设备 在射频测试与测量设备中，BLF246,112 可用于生成和放大射频信号，帮助工程师进行精确的信号分析和测试。这类设备通常用于研发实验室和生产线上，确保射频产品的性能符合标准。 5. 工业加热与等离子体应用 BLF246,112 还可用于工业加热和等离子体生成设备中。通过控制射频能量的输出，它可以有效地加热材料或产生等离子体，广泛应用于半导体制造、材料处理等领域。 6. 医疗设备 在某些医疗设备中，如射频消融设备，BLF246,112 可用于生成高功率射频信号，用于治疗特定疾病。这类设备要求高精度和高可靠性，而这款晶体管能够满足这些苛刻的要求。 总之，BLF246,112 凭借其出色的射频性能和可靠性，广泛应用于多个高科技领域，尤其是在需要高功率射频信号的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR VHF PWR DMOS SOT121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF246,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CRFM4 |
| 其它名称 | 933929990112 |
| 功率-输出 | 80W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | SOT-121B |
| 晶体管类型 | 2 N-通道（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 108MHz |
| 额定电流 | 13A |
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