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Datasheet下载- 型号： BLF244,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF244,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF244,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF244,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 28V 25mA 175MHz 17dB 15W CRFM4。您可以下载BLF244,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF244,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.生产的BLF244,112是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频场景，具体应用场景包括： 1. 无线通信基站： BLF244,112适用于无线通信基础设施中的功率放大器（PA），如蜂窝基站、中继站等。它能够高效处理高频信号，提供稳定的功率输出，满足现代通信系统对带宽和效率的要求。 2. 广播发射设备： 在调频（FM）或甚高频（VHF）广播系统中，该器件可用于驱动和最终功率放大级，确保信号覆盖范围广且质量稳定。 3. 雷达系统： 该型号适合用于军事或民用雷达应用，例如气象雷达、空中交通管制雷达等。其高功率和高频特性使其能够支持远距离目标探测。 4. 航空航天与国防： 在卫星通信、导航系统及电子对抗设备中，BLF244,112可以作为核心射频功率放大组件，提供可靠的性能表现。 5. 工业、科学与医疗（ISM）领域： 包括射频加热、等离子体生成以及医疗成像设备在内的ISM频段应用，均可利用此晶体管实现高效能量转换。 6. 测试与测量仪器： 高端射频测试设备需要强大的信号源支持，BLF244,112可为这些设备提供必要的功率输出以完成复杂测试任务。 总之，BLF244,112凭借其出色的射频性能，在任何需要高频率、高功率射频信号处理的场合都能发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A射频MOSFET晶体管 RF DMOS 15W VHF |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF244,112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF244,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | CRFM4 |
| 其它名称 | 568-2411 |
| 功率-输出 | 15W |
| 功率耗散 | 38 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-123A |
| 封装/箱体 | SOT-123A |
| 工厂包装数量 | 40 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 25mA |
| 输出功率 | 15 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 零件号别名 | BLF244 |
| 频率 | 175 MHz |
| 额定电流 | 3A |
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