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  • 型号: BLF242,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF242,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF242,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF242,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF242,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF242,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR RF DMOS SOT123A射频MOSFET晶体管 RF DMOS 5W HF-VHF

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF242,112-

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产品型号

BLF242,112

PCN封装

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

16 W

Pd-功率耗散

16 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

65 V

Vds-漏源极击穿电压

65 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

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产品目录页面

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产品种类

射频MOSFET晶体管

产品类型

RF MOSFET Power

供应商器件封装

CRFM4

其它名称

568-2396
933817030112
BLF242
BLF242-ND

功率-输出

5W

功率耗散

16 W

包装

托盘

商标

NXP Semiconductors

噪声系数

-

增益

16 dB

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

SOT-123A

封装/箱体

SOT-123A

工厂包装数量

40

技术

MOSFET

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

MOSFET Power

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

20

汲极/源极击穿电压

65 V

漏极连续电流

1 A

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

10mA

输出功率

5 W

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

零件号别名

BLF242

频率

175 MHz

额定电流

1A

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