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Datasheet下载- 型号： BLF188XRSU
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF188XRSU由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF188XRSU价格参考。NXP SemiconductorsBLF188XRSU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 40mA 108MHz 24.4dB 1400W SOT539B。您可以下载BLF188XRSU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF188XRSU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC TRANS LDMOS 1400W SOT539B射频MOSFET晶体管 Power LDMOS Transistor |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 uA |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 uA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF188XRSU- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF188XRSU |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 0.08 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.08 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 135 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 135 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 1.5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 1.5 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 供应商器件封装 | SOT539B |
| 其它名称 | 568-10994-5 |
| 功率-输出 | 1400W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24.4 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 0.08 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT539B |
| 封装/箱体 | SOT-539B |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管类型 | LDMOS Power |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 135 V |
| 漏极连续电流 | 2.8 uA |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/ldmos-rf-power-transistors/51269 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 50V |
| 电流-测试 | 40mA |
| 类型 | LDMOS |
| 输出功率 | 1400 W |
| 闸/源击穿电压 | 1.5 V |
| 频率 | 600 MHz |
| 额定电流 | 2.8µA |
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